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  • 三和联:薄膜沉积设备国产替代空间广阔,需注重协同、专利与整合

    三和联认为: - 薄膜沉积设备CVD和PVD多线并举,国内设备厂应在量大面广的PECVD、ALD以及PVD领域加强研发与量产。 - 在下游晶圆厂扩产增效、逻辑芯片代工厂先进产线占比提升以及3D NAND技术普及等,均将进一步推动薄膜沉积设备的行业空间扩容,并对薄膜工艺和材料的精密化、多样化要求催生更多行业增长点,为国产替代提供新契机; - 半导体设备的国产化是一大系统工程,国内薄膜沉积设备厂商要从加强研发开始,注重专利池,同时也需要代工厂在供应链环节,给予国内设计厂商更多的验证与试错机会,并借力并购来不断发展壮大。实现我国半导体

  • 刻蚀,半导体制造三大核心设备之一

    刻蚀:半导体制造三大核心设备之一刻蚀:半导体图案化关键工艺,重要性凸显刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺,刻蚀机被视为半导体制造三大核心设备之一。刻蚀设备主要用于去除特定区域的材料来形成微 小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备,重要性凸显,地位举足轻重。刻蚀设备:干法刻蚀为主,ICP、CCP平分秋色刻蚀可分为湿刻和干刻,湿刻各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,干刻是目前主流 的刻蚀技术,其中,等离子体干刻应用最广。根据等离子体产生方法不同,等离

  • 芯片去层的应用

    芯片去层的应用 芯片去层技术广泛应用于以下领域: 1. 失效分析:通过逐层去除芯片结构,定位故障点并分析失效原因。在实际案例中,通过热点分析和去层分析,可以在芯片的特定层(如CT层或SUB层)发现ESD损伤从而确定失效原因。 2. 逆向工程:解析芯片的电路设计和布线结构。逆向工程在法律框架内是被允许的,尤其是在通过合法途径获取产品并用于技术学习、改进或知识产权分析时。然而,未经授权复制或篡改产品可能涉及侵权行为。 3. 工艺优化:评估芯片制造工艺的质量,改进设计和制造流程。例如在去层过程中可以对不同材料(如金属、介质

  • 芯片去层的方法

    芯片去层的方法 芯片去层技术主要分为干法去层和湿法去层 湿法去层:使用特定的化学溶液与目标材料发生反应,生成可溶性产物,从而去除特定层。 常见应用: • 去除钝化层:钝化层通常由二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)组成;SiO₂可使用氢氟酸(HF)等化学试剂去除。Si₃N₄可使用热磷酸是去除(通常需要在150℃至165℃的温度下进行处理),去除氮化硅后,需用超纯水清洗,以去除残留的磷酸,并可能需要进一步处理以去除受磷酸沾污的氧化层。去除金属层:铝(Al)层常用于芯片的互连,可使用稀

  • 北京三和联主要产品应用——二维材料(2D Electronic Materials)

    二维电子薄膜材料 (2D Electronic Materials) 是指主要以共价键结合形成的单个或者少数原子层厚度的新型二维材料。早期对二维电子薄膜材料的研究特别是对石墨烯材料的研究主要集中在二维材料的制备方法上,如机械剥离法、还原法、沉积法等等,以及材料特性方面的研究。随着大尺寸二维薄膜材料制备的不断突破,人们开始将目光转向器件的制备上。二维薄膜材料的减层减薄与图形化是二维器件制备的关键,传统的半导体等离子体干法刻蚀方式在二维材料的减层减薄与图形化刻蚀上存在如下两个致命缺点:1. 过快的刻蚀速率,无法满足 2D 材料原子层

  • 北京三和联主要产品应用——芯片失效分析(Failure Analysis)

    芯片失效分析主要应用于提高芯片良率(Yield Enhancement)以及反向工程(Reverse Engineering),包括芯片开盖(Chip Decap)、钝化层/绝缘层去除(Delayer)、铝线/铜线去除、粘附层去除、背硅减薄(Backside Silicon Access)等具体技术手段,其中去层技术(Delayer)需要完整地去除金属线之间绝缘层,恰到好处地将下一层金属线暴露出来,有时还需要保留金属线之间的过孔(Via hole),以及去除粘附层,是失效分析中一项具有挑战性的技术。 我们从用户具体要求出发,开发了专门适用于失效分析的反应离子刻蚀机台(SHL FA100/150/200 RIE/ICP),将工艺稳

  • 简单了解三和联

    北京三和联科技有限公司位于北京,面向研究所高校及创新型公司提供高端微纳材料加工设备。已搭建微纳工艺demo实验平台,包括:刻蚀、沉积、材料表面等离子体改性机台,如RIE刻蚀机台、ICP刻蚀机台、PECVD化学气相沉积机台、PVD物理气相沉积机台以及IBE离子束刻蚀机台,其中核心工艺机台全部自研生产。

  • SHL(三和联)离子束在失效分析的应用

    离子束刻蚀在芯片失效分析方向的应用主要是用于芯片故障分析和故障定位。当芯片出现故障时,需要对芯片进行分析和定位,以找出故障原因。离子束刻蚀可以通过刻蚀芯片表面来观察芯片内部结构和元器件的状态,从而帮助分析和定位芯片故障。具体应用包括:1.刻蚀芯片表面 离子束刻蚀可以通过刻蚀芯片表面来观察芯片内部结构和元器件的状态,从而帮助分析和定位芯片故障。2.制作断面样品 离子束刻蚀可以制作出芯片的断面样品,从而可以观察芯片内部结构和元器件的状态,帮助分析和定位芯片故障。3.制作透射电子显微镜(TEM)样品 离子束刻蚀可

  • SHL(三和联)离子束优势

    SHL(三和联)离子束优势1.高精度离子束刻蚀可以制备出高精度的微小结构,其加工精度可以达到亚纳米级别。综上所述,离子束刻蚀具有高精度、高效率、可控性强、适用性广、无损加工等独特的优势,使得其在微纳加工领域中具有广泛的应用前景。

  • SHL(三和联)离子束刻蚀机应用方向

    SHL(三和联)离子束刻蚀机应用方向1.半导体制造离子束刻蚀是半导体制造中最重要的工艺之一,用于制造微处理器、存储器、传感器等器件。2.光电子学离子束刻蚀可用于制造光学元件,如光栅、衍射光栅、光波导等3.微机电系统(MEMS)离子束刻蚀可用于制造微机电系统中的微结构,如微机械臂、微流体芯片等。4.纳米技术离子束刻蚀可用于制造纳米结构,如纳米线、纳米点等北京三和联科技有限公司于2013年成立于北京,超过十年半导体设备研发经验。半导体设备是奠定半导体产业发展的基石,三和联为您提供高效稳定的半导体设备。

  • SHL(三和联)离子束刻蚀机的特点

    离子束刻蚀是一种高精度、高效率的微纳加工技术,广泛应用于半导体、光电子、微机电系统(MEMS)、纳米技术等领域,是带能粒子溅射刻蚀。IBE通过调控离子束能量与通量,实现对材料的去除。该技术几乎可以实现对全材料的刻蚀,通过对工艺参数的调节,可以实现对多种材料等速同时去除;此外,加入特定的工艺气体,可以实现对材料的离子辅助反应刻蚀。 该系列产品具有如下特点: 1.基于工控机的控制方案,自主开发的全自动控制系统,可高度定制化; 2.机台配置灵活,可作为专用机台也可以用于多用途机台; 3.模块化设计,维护与升级极其方便;

  • 北京三和联在反应离子刻蚀机台方面的优势

    北京三和联在反应离子刻蚀机台方面的优势北京三和联科技有限公司自成立以来,始终致力于半导体设备的研发与生产,积累了超过十年的技术沉淀和行业经验。作为一家专注于高端制造领域的高新技术企业,北京三和联在半导体设备领域取得了显著成就,其中反应离子刻蚀机台更是其核心产品之一。本文将从技术实力、产品性能以及市场竞争力等多个维度,深入探讨北京三和联在反应离子刻蚀机台方面的独特优势。技术实力:深耕行业,厚积薄发北京三和联科技有限公司自创立之初便明确了以技术创新为核心的发展战略。公司拥有一支由多名资深工程师组成的

  • 三和联科技离子束刻蚀机台(IBE)简介

    三和联科技离子束刻蚀机台(IBE)简介 基础参数支持样品尺寸:6 英寸向下兼容,兼容各种小尺寸样品;2.离子源:离子能量 (50 ~ 1500) ± 2 V,离子通量 (100 ~ 1500) ± 2 mA,束流准直性 ± 5°,束流不均匀性 ± 2 %,500 h工艺稳定时间; 3. 离子源可配置气体:Ar,O2,N2,He,H2,辅助性气体可配置:O2,CF4,CHF3,SF6,N2; 4. 样品台:0 ~ 20 rpm 旋转/ 0 ~ 360° 倾斜/ 低温,三维度功能共存; 5. 刻蚀速度:1 ~ 100 nm/min; 6. 刻蚀均匀性:± 5 %(@四英寸去除边缘效应); 7. 全自动一键式控制系统; 8. 刻蚀材料:全材料;

  • 半导体设备产业助力人工智能发展

    全球经济越来越智能化,人工智能逐渐代替传统行业,高科技产业的对芯片和半导体的要求越来越高。北京三和联为中国半导体设备发展助力。 三和联主营业务 1、干法刻蚀 Dry Etch: -感应耦合等离子体刻蚀 Inductively Coupled Plasma Etching(ICPRIE) -反应离子刻蚀 Reactive Ion Etching(RIE) -离子束刻蚀 Ion Beam Etching(IBE) -桌面型反应离子刻蚀 Desktop RIE(SV-RIE) 2. 物理气相沉积 Physical Vapor Deposition(PVD) -磁控溅射机台 Sputter 3. 化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition(CVD) -容性耦合等离子体增强化学气相沉积 Capa

  • 三和联干法刻蚀中的掩模材料怎么选择的?

    首先,我们搞清楚一点:三和联常见的用于刻蚀的掩模材料有哪些?2,刻蚀后掩模材料可以很容易除去3,掩模材料的薄膜应力应适中,以防止薄膜翘曲或裂纹。4,掩模材料必须能有效抵抗刻蚀气体的腐蚀。为什么Cr做掩模会长草而光刻胶不会?

  • 半导体在电子方面起到的作用

    半导体,顾名思义,“半”导体。信息处理和存储在现代电子设备中,半导体材料是构建芯片和存储器件不可或缺的材料。开关功能半导体能像开关一样工作,在电路中控制电流的流通或中断。放大功能半导体还能把微弱的信号放大成强信号。没有半导体,现代电子技术就像失去了灵魂。

  • 半导体设备只是做芯片吗?还有其他什么作用?

    北京三和联科技有限公司专业从事半导体设备研发、生产与销售。半导体设备应用于制作半导体零件,是完成半导体零件的工艺设备。半导体设备用于以下几个大的方面1、硅基芯片2、玻璃基3、柔性基4、电路。电路的应用1、用于显示技术2、用于太阳能光伏电池的集能电路3、其他:如光刻,涂布,显影,清洗,掺杂,烘烤以及pvd,cvd各种成膜工艺等。以上原理相似,存在设备的大小,曝光精度,设计蚀刻差异。总之,半导体设备并非只能制作芯片,而是完成一种半导体工艺的统称。

  • 北京三和联科技有限公司国际产品项目启动

    北京三和联科技有限公司国际产品项目启动 【多年经营与研发】 北京三和联科技有限公司专注于半导体设备系列产品研发、生产与销售。经过多年经营与发展,在国内市场已取得巨大成就,为我国的高端工业发展和芯片制作产业进步提供了坚实基础。多年来,三和联与国内多家高科技企业及科研机构长期合作,促进了半导体设备的进步。 【进军海外市场】 随着国际社会对半导体设备需求量的增大,半导体设备海外市场不断扩容。2020年,北京三和联科技有限公司对海外市场项目进行了系统的调查,经过5年对国际市场半导体产品的严谨考察和产品结构调整,

  • 北京三和联科技有限公司关于物理气相沉积机台(PVD)研发取得突破性进展

    北京三和联科技有限公司专业从事半导体设备系列产品研发、生产、销售与售后服务,行业经验超过15年。面对中国高端工业的迅猛发展,工业体系对于半导体设备方面的要求越来越高。物理气相沉积机台(PVD)是三和联公司系列产品中的重要产品,随着客户对于物理气相沉积机台精准度要求的提高,近年来北京三和联公司研发部对物理气相沉积机台(PVD)的投资逐步加大。物理气相沉积机台(PVD)主要用于在真空条件下通过物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子,或部分电离成离子,然后在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄。经过多

  • 北京三和联科技有限公司

    北京三和联科技有限公司北京三和联科技有限公司,作为一家专注于半导体设备研发、生产、销售及售后服务的企业,近年来凭借其卓越的技术实力与优质的服务赢得了市场的广泛认可。公司总部位于北京市,拥有先进的研发设施和专业的技术团队,致力于为客户提供高性能、高可靠性的半导体制造设备。北京三和联科技有限公司的核心业务涵盖半导体设备的全生命周期管理,从研发到生产,再到销售与售后支持,每一个环节都严格把控质量标准,确保客户获得最佳体验。公司旗下产品种类丰富多样,其中包括冷水机(Chiller)、物理气相沉积机台(PVD)、反

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