炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD)

炉管式化学气相沉积

Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)

炉管式化学气相沉积机台

炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD，采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的机台，既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。

     炉管式化学气相沉积(TFCVD) 主要配置：

      1. 支持样品尺寸：6 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；

      2. 温区温度范围：室温 ~ 800 / 1000 / 1200 度 可选，控温精度 ± 3 ℃ @ > 200 ℃；

      3. 单/双层石英管设计；

      4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

      5. 控压：0 ~ 10 Torr 可选，也可选择非控压模式配置；

      6. 工艺气体：H₂，O₂，N₂，Ar；

      7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 300 sccm 范围内可选；

      8. 前驱源：可配置粉末/液态/固态前驱体源，最大8路，支持鼓泡/带载以及混合驱动前驱体源；

        9. 源控温范围可从 5 ~ 200 ℃ 定制；

      10. 可选配等离子体模块；

      11. 全自动一键式控制系统；

     炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 主要应用：

     1. 晶圆级WS₂，MoS₂ 等2D材料生长；

     炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 实验结果：

2 nm WS₂ on 300 nm SiO₂: 实物照片(左)光镜(右)

2 nm WS₂ on 蓝宝石: 实物照片(左)光镜(右)

2 nm WS₂ 拉曼光谱测试

     炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 系列型号：

      SHL 100/150-TFCVD

    炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 设备Layout：

TFCVD 机台 Layout