电容耦合等离子体增强化学气相沉积 (CCP-CVD)

电容耦合等离子体增强化学气相沉积 

Capacitivitily Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - (CCP-CVD)

CCP-CVD沉积机台

      电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台 (CCPCVD) 基于平板式等离子体技术，为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术的一种。CCPCVD采用射频功率源产生等离子体，分解离化反应气体，生成具有活性的基团，这些基团生成薄膜前驱体，并化学吸附到样片表面，生成固态膜晶核，最终以岛状生长成连续薄膜。

     电容耦合等离子体增强化学气相沉积主要配置和功能：

      1. 支持样品尺寸：12 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；

      2. RF等离子体功率范围：300 / 500 / 1000 / 1500 W 可选；

      3. 分子泵：620 l/s / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组；

      4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

      5. 控压：0 ~ 1 Torr 可选；也可选择非控压模式配置；

      6. 工艺气体：最多可同时配备 12 路工艺气体；

      7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 300 sccm 范围内可选；

      8. 样品控温：室温 ~ 400 ℃；

      9. 机台冷却：10 ℃；

      10. 全自动一键式控制系统；

      11. 主要沉积材料：SiO₂、SiN_x、α-Si；

     电容耦合等离子体增强化学气相沉积（CVD）应用结果：

     系列型号：

      SHL100/200/300C-CVD

    电容耦合等离子体增强化学气相沉积（CVD）设备Layout：

CVD 机台 Layout