芯片去层的方法
芯片去层技术主要分为干法去层和湿法去层
湿法去层：使用特定的化学溶液与目标材料发生反应，生成可溶性产物，从而去除特定层。
常见应用：
• 去除钝化层：钝化层通常由二氧化硅（SiO₂）或氮化硅（Si₃N₄）组成；SiO₂可使用氢氟酸（HF）等化学试剂去除。Si₃N₄可使用热磷酸是去除（通常需要在150℃至165℃的温度下进行处理），去除氮化硅后，需用超纯水清洗，以去除残留的磷酸，并可能需要进一步处理以去除受磷酸沾污的氧化层。
去除金属层：铝（Al）层常用于芯片的互连，可使用稀硝酸（HNO₃）或氢氧化钠（NaOH）溶液去除。铜（Cu）层可以使用稀硝酸（HNO₃）溶液进行湿法去除，但需严格控时防止过腐蚀。
• 去除介质层：二氧化硅（SiO₂）介质层可通过氢氟酸（HF）去除。
干法去层：利用反应离子刻蚀（RIE）或离子束刻蚀（IBE）等技术，通过等离子体与材料发生物理反应，实现高选择性和高精度的去层。
常见技术：
1. 反应离子刻蚀（RIE, Reactive Ion Etching）
利用等离子体中的化学活性离子与材料发生反应，实现高选择性和高精度的刻蚀。适用于去除钝化层、金属层和介质层。
2. 离子束刻蚀（IBE, Ion Beam Etching）
通过高能离子束直接轰击材料表面，实现物理去除。这种方法对材料的选择性较低，可以实现非常精确的去层。
3. 等离子体刻蚀（Plasma Etching）
利用等离子体中的高能粒子与材料发生化学反应，实现材料的去除。适合多种材料的去层，尤其是对精度要求较高的场合。
