感应耦合等离子体刻蚀机台(ICP)

感应耦合等离子体刻蚀机台

Inductive Coupled Plasma (ICP)

SHL 100/200/300L-ICP                                    SHL FA100/200/300S-ICP

      感应耦合反应离子刻蚀技术是RIE的一种；该技术通过独立控制离子通量，实现对等离子体离子密度与离子能量的解耦，提高刻蚀工艺的控制精度与灵活性。

      三和联自主研制的高密度感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)系列产品，基于感应耦合等离子体技术，面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。具有极好的工艺稳定性与工艺重复性，适用于硅半导体，光电子，信息与通讯，功率器件以及微波器件等方面的应用。

     感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP) 主要配置：

      1. 支持样品尺寸：4/6/8/12 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品，支持定制；

      2. RF等离子体功率范围：

         上电极：1000 / 2000 / 3000 / 5000 W 可选；

         下电极：300 / 500 / 1000 W 可选；

      3. 分子泵：620 / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组；

      4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

      5. 控压：0 ~ 0.1 / 0 ~ 1 / 0 ~ 10 Torr 可选；

      6. 工艺气体：最多可同时配备 12 路工艺气体；

      7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 500 sccm 范围内可选；

      8. 样品控温：-30 ℃ / 10 ℃ ~ 室温 / 200 ℃，可定制温度区间；

      9. 背氦冷却可根据应用配置；

      10. 可拆卸式防污染内衬；

      11. Load-lock可选配；

      12. 全自动一键式控制系统；

     感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP) 适用材料：

      1. 硅基材料：硅 (Si) ，二氧化硅 (SiO₂) ，氮化硅 (SiN_x) ，碳化硅 (SiC) ……

      2. III-V材料：磷化铟 (InP)，砷化镓 (GaAs)，氮化镓 (GaN) ……

      3. II-VI材料：碲化镉 (CdTe) ……

      4. 磁性材料 / 合金材料

      5. 金属材料：铝 (Al) ，金 (Au) ， 钨 (W) ，钛 (Ti) ，钽 (Ta) ……

      6. 有机材料：光刻胶 (PR) ，有机聚合物 (PMMA / HDMS) ，有机薄膜 ……

      7. 铁电/光电材料：铌酸锂 (LiNbO₃) ......

      8. 介质材料：蓝宝石 (Al₂O₃)，石英 (Quartz) ......

     感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP) 相关应用：

      1. 光栅刻蚀：用于3D显示、微光学器件、光电子等；

       2. 化合物半导体刻蚀：用于LED、激光器、光通讯等；

      3. 图形化蓝宝石衬底 (PSS) ；

      4. 铌酸锂 (LiNO₃) 刻蚀：探测器、光电子；

     感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP) 应用结果：

石英光栅刻蚀，用于3D显示，刻蚀深度：530 nm，刻蚀速率：130 nm/min

图形化蓝宝石LED衬底刻蚀 (PSS) ，刻蚀深度：1.3 μm，刻蚀速率：55 nm/min，对光刻胶选择比：0.63

LED电极氮化镓 (GaN) 刻蚀，LED/LD应用，刻蚀深度：1.1 μm，刻蚀速率：230 nm/min

磷化铟 (InP) 台结构刻蚀，LD/光电子应用，刻蚀深度：1.1 μm，刻蚀速度：310 nm/min，衬底温度：190 ℃

氧化硅 (SiO₂) 光栅结构刻蚀，刻蚀深度：300 nm，刻蚀速率：130 nm/min

无掩蔽中空硅纳米柱刻蚀，柱高：3.9 μm，直径：~ 100 nm，刻蚀速率：80 nm/min

     感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP) 系列型号：

      1. SHL 150/200S-ICP

      2. SHL 150/200CS-ICP

      3. SHL 300C-ICP

     感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP) 设备Layout：

ICPRIE 机台 Layout