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反应离子刻蚀机台 (RIE)
反应离子刻蚀机台 Reactive Ion Etching (RIE)
反应离子刻蚀机台 (RIE) 反应离子刻蚀（RIE）可用于制备微纳结构，是半导体制造工艺技术中的一种。RIE刻蚀过程中，等离子体中的各种活性粒子与材料表面形成挥发性产物。这些产物被从材料表面带走，最终实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。 三和联自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术，适用于硅类材料如单晶硅，多晶硅，氮化硅（SiNx），氧化硅（SiO2），石英(Quartz)以及碳化硅（SiC）等材料的图案化蚀刻；可用于有机材料如光刻胶（PR），PMMA，HDMS等材料的图案化与材料去层蚀刻；可用于金属材料如镍(Ni)，铬(Cr)以及陶瓷材料的物理蚀刻；可用于常温磷化铟(InP)材料蚀刻。对于一些工艺要求较高的刻蚀也可以使用我们的ICPRIE刻蚀。 反应离子刻蚀机台 (RIE) 主要配置： 1. 支持样品尺寸：4、8、12 英寸，兼容各种小尺寸样品，支持定制 2. RF等离子体功率范围：300 / 500 / 1000 W 可选； 3. 分子泵：620 / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组； 4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选； 5. 控压：0 ~ 1 Torr 可选；也可选择非控压模式配置； 6. 工艺气体：最多可同时配备 9 路工艺气体； 7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 1000 sccm 范围内可选； 8. 样品控温：10度 ~ 室温 / -30度 ~ 室温 / 可定制温度区间； 9. 背氦冷却可根据应用配置； 10. 可拆卸式防污染内衬； 11. Load-lock可选配； 12. 全自动一键式控制系统； 反应离子刻蚀机台 (RIE) 适用材料： 1. 硅基材料：硅 (Si) ，二氧化硅 (SiO2) ，氮化硅 (SiNx) ，碳化硅 (SiC) …… 2. III-V材料：磷化铟 (InP)，砷化镓 (GaAs)，氮化镓 (GaN) …… 3. II-VI材料：碲化镉 (CdTe) …… 4. 磁性材料 / 合金材料 5. 金属材料：铝 (Al) ，金 (Au) ， 钨 (W) ，钛 (Ti) ，钽 (Ta) …… 6. 有机材料：光刻胶 (PR) ，有机聚合物 (PMMA / HDMS) ，有机薄膜 …… 反应离子刻蚀机台 (RIE) 相关应用：
1. 硅基材料，纳米压印图形，阵列图形以及透镜图形刻蚀； 2. 磷化铟 (InP) 常温刻蚀，光通信中的 InP 基器件的图案化刻蚀，包括波导结构，谐振腔结构，脊结构； 3. SiC材料刻蚀，适用于微波器件，功率器件等； 4. 物理溅射刻蚀应用于某些金属 ，如镍 (Ni)，铬 (Cr) ，陶瓷等化学方式难刻蚀的材料，通过物理轰击实现对材料的图案化刻蚀； 5. 有机材料刻蚀应用于光刻胶 (Photo Resist)，PMMA，HDMS，Polymer等有机物刻蚀以及清洁和去除； 6. 芯片失效分析 (Failure Analysis-FA) 去层刻蚀； 反应离子刻蚀机台 (RIE) 应用结果：
石英材料台阶刻蚀，台阶高度：300 nm，刻蚀速率：90 nm/min
硅材料微米阵列刻蚀，用于表面亲疏水改性
InP常温刻蚀，激光器应用，脊结构刻蚀，刻蚀速率：200 nm/min
碳化硅台阶刻蚀，刻蚀深度：2 μm，刻蚀速率：220 nm/min
金属陶瓷薄膜材料（Au/Ni/Cr/Al2O3）刻蚀，刻蚀深度：500 nm，刻蚀速率：15 nm/min
SiO2去层刻蚀，带孔结果，芯片失效分析，刻蚀速率：100 nm/min
SiO2去层刻蚀，不带孔结果，芯片失效分析，刻蚀速率：100 nm/min
SiO2用于刻胶（PR）,PMMA,HDMS,polymer等有机物刻蚀以及去除 反应离子刻蚀机台 (RIE) 系列型号： 1. SHL 150/200-RIE 2. SHL 200C-RIE 3. SHL FA100/200/300P-RIE 4. SHL FA100/200/300E-RIE 5. SHL 100μ/200μ-RIE 反应离子刻蚀机台(RIE) 设备Layout：
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