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北京三和联干法刻蚀的工艺流程

时间:2025-03-09     作者:三和联-半导体设备专家【原创】

干法刻蚀的工艺流程通常包括以下几个步骤:


       1.前处理‌:对刻蚀材料进行预处理,如形成氧化膜或沉积金属膜,并通过光刻技术形成光刻胶掩模。

       2.等离子体刻蚀‌:将加工后的晶圆放置在刻蚀设备中,抽真空并引入适当的刻蚀气体。通过射频电源激发气体形成等离子体,开始刻蚀。


干法刻蚀

    

   3.过刻蚀与选择比控制‌:刻蚀完成后,进行适量的过刻蚀以确保所有刻蚀区域完全去除材料。选择比控制是关键,定义了刻蚀过程中材料去除的选择性。


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