电阻丝蒸发镀技术

       电阻丝蒸发镀技术是在真空室内通过电阻丝加热SiO，实现高达1700℃的温度。在这种高温和真空条件下，SiO原子或分子会从表面气化逸出，形成蒸气流，并在基材表面沉积，形成含有SiOx（如Si3O4、S2O3和SiO2等）的阻隔性包装薄膜。

     电子束蒸发镀技术

       电子束蒸发镀技术将SiO置于水冷铜坩锅中，通过电子束直接加热至蒸发气化，然后在基材表面凝结，形成SiOx阻隔性包装薄膜。电子束轰击产生的能量密度高，蒸发温度可达3000~6000℃，特别适用于高熔点和高纯度薄膜材料的生产，且蒸发速度快。电子束加热的热效率高，热损失少，生产的SiOx阻隔性包装薄膜性能优于电阻丝蒸发镀技术。

     溅射法

      溅射法，又称磁控溅射法或高速低温溅射法，通过单元素靶材溅射并加入反应气体，进行反应溅射。通过调节沉积工艺参数，可以制备出化学配比或非化学配比的化合物薄膜，以调控薄膜特性。

      磁控溅射法的设备简单，操作方便，只需保持工作气压和溅射功率恒定，即可获得稳定的沉积速率。与蒸发法相比，溅射法具有结合力强、镀膜层致密均匀等优点。然而，其沉积速率较低，可能发生靶中毒、打火和溅射过程不稳定等问题，限制了其应用，需进一步改进。