三和联科技离子束刻蚀机台（IBE）简介
作者：
三和联-半导体设备专家
【
原创
】
2025-03-24
三和联科技离子束刻蚀机台（IBE）简介
基础参数
支持样品尺寸：6 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；
2.离子源：离子能量 (50 ~ 1500) ± 2 V，离子通量 (100 ~ 1500) ± 2 mA，束流准直性 < ± 5°，束流不均匀性< ± 2 %，500 h工艺稳定时间；
3. 离子源可配置气体：Ar，O2，N2，He，H2，辅助性气体可配置：O2，CF4，CHF3，SF6，N2；
4. 样品台：0 ~ 20 rpm 旋转/ 0 ~ 360° 倾斜/ 低温，三维度功能共存；
5. 刻蚀速度：1 ~ 100 nm/min；
6. 刻蚀均匀性：± 5 %（@四英寸去除边缘效应）；
7. 全自动一键式控制系统；
8. 刻蚀材料：全材料；
刻蚀结果
铜 (Cu) 刻蚀，芯片失效分析 (FA) 应用，刻蚀速率：97 nm/min，SiO2刻蚀速率：88 nm/min
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