三和联干法刻蚀中的掩模材料怎么选择的？

作者： 三和联-半导体设备专家【原创】 2025-03-21

三和联干法刻蚀中的掩模材料怎么选择的？

首先，我们搞清楚一点：三和联常见的用于刻蚀的掩模材料有哪些？

1、金属类：Cr，Ti等

2、有机类：光刻胶等

3、非金属类：SiO₂，Si₃N₄，Al₂O₃，无定形碳等。

非金属类，金属类一般都是硬掩模，硬掩模相较于光刻胶等软掩模，能够在苛刻的刻蚀环境中（高温等）保持稳定性，不易受损，适用于深刻蚀和高选择性要求的工艺。

刻蚀掩膜层的要求？

1，应具有良好的选择性，即与被刻蚀材料相比，掩模的刻蚀速率越低越好，这样较薄的掩模也可以胜任较深材料的刻蚀。

2，刻蚀后掩模材料可以很容易除去

3，掩模材料的薄膜应力应适中，以防止薄膜翘曲或裂纹。

4，掩模材料必须能有效抵抗刻蚀气体的腐蚀。

三和联材料刻蚀

为什么Cr做掩模会长草而光刻胶不会？

光刻胶在等离子体刻蚀过程中会部分被蚀刻掉，但其有机成分在刻蚀过程中不会形成硬质的残留物，而是变成二氧化碳被排走了。

而金属铬会与反应气体反应，生成铬的化合物。这些化合物或金属Cr在蚀刻过程中受到高能Ar+的物理轰击，可能会再次沉积在晶圆表面，形成“长草”现象。

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