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物理气相沉积与刻蚀设备(IBSD)
北京三和联物理气相沉积与刻蚀设备采用离子束溅射与吸蚀技术，通过离子源产生高能离子束轰击靶材，实现高精度、高性能的薄膜生长。适用于金（Au）、银（Ag）、ITO、铝（Al）、钨（W）等金属薄膜，以及氧化硅（SiO₂）等介质薄膜的制备。同时具有多种材料的刻蚀工艺，本系列设备配备多靶位结构，既支持多元素材料的共溅射沉积和刻蚀工艺。 物理气相沉积机台 (IBS) 主要配置：1. 支持样品尺寸：4、6英寸，兼容多种小尺寸样品，支持定制化需求； 2. 离子源功率范围：300W / 500W / 1000W / 定制； 3. 前级泵组：机械油泵 / 干泵可选； 4. 工艺气体通道：最多可同时配置9路工艺气体； 5. 气体流量控制范围：根据用户工艺需求定制，在0–100 sccm范围内可选； 6. 可拆卸式防污染内衬（可选配置）； 全自动一键式控制系统；
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